科研实验专用氧化铟靶材In2O3磁控溅射靶材电子束镀膜蒸发料
产品介绍
氧化铟(In2O3)为白色或淡黄色无定型粉末,加热转变为红褐色;是一种新的n型透明半导体功能材料,具有较宽的禁带宽度、较小的电阻率和较高的催化活性,在光电领域、气体传感器、催化剂方面得到了广泛应用。而氧化铟颗粒尺寸达纳米级别时除具有以上功能外,还具备了纳米材料的表面效应、量子尺寸效应、小尺寸效应和宏观量子隧道效应等。电阻式触摸屏中经常使用的原材料,主要用于荧光屏、玻璃、陶瓷、化学试剂等。
产品参数
纯度 99.99%
中文名称:氧化铟
中文别名:氧化铟(III); 三氧化二铟
英文名称:Indium Oxide
CAS号:1312-43-2
分子式:In2O3
分子量:277.63400
**质量:277.79200
PSA:43.37000
外观与性状:白色至淡黄色粉末
密度:7.18
熔点:2000ºC
沸点:850ºC
稳定性:稳定。 不易燃。 与酸不相容。
储存条件:库房通风低温干燥
支持靶材定制,请提供靶材产品的元素、比例(重量比或原子比)、规格,我们会尽快为您报价!!
服务项目:靶材成份比例、规格、纯度均可按需定制。科研单位货到付款,质量保证,售后无忧!
产品附件:发货时产品附带装箱单/质检单/产品为真空包装
适用仪器:多种型号磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发设备
质量控制:严格控制生产工艺,采用辉光放电质谱法GDMS或ICP光谱法等多种检测手段,分析杂质元素含量保证材料的高纯度与细小晶粒度;可提供质检报告。
加工流程:熔炼→提纯→锻造→机加工→检测→包装出库
陶瓷化合物靶材本身质脆且导热性差,连续长时间溅射易发生靶裂情况,绑定背靶后,可提高化合物靶材的导热性能,提高靶材的使用寿命。我们强烈建议您,选购陶瓷化合物靶材一定要绑定铜背靶!
我公司采用高纯铟作为焊料,铟焊厚度约为0.2mm,高纯无氧铜作为背靶。
注意:高纯铟的熔点约为156℃,靶材工作温度超过熔点会导致铟熔化!绑定背靶不影响靶材的正常使用!
建议:陶瓷脆性靶材、烧结靶材,高功率下溅射易碎,建议溅射功率不超过3W/cm2。