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等离子体化学气相沉积设备有两种:其一是PCVD(等离子体一般化学气相沉积)，另一个是PECVD(等离子体增强化学气相沉积)，它们都是在20世纪70年代发展起来的镀膜工艺。其特点是:

1、在不同基片上制备各种金属膜、有机物聚合膜、非晶态无机物膜;

2、等离子体清洗基材，使膜层的附着力增加;

3、可制备厚膜，内应力小、致密性好、针孔小、膜层成分均匀、不易产生微裂纹;

4、低温成膜，温度对基材没什么影响，避免了高温成膜的晶粒粗大及基材与膜层间生成脆相。

PECVD(等离子体增强化学气相沉积）是将基材置于辉光低气压放电的阴极上，以适当气体通人，在温度一定的条件下，利用离子轰击和化学反应相结合的镀膜过程，在基材表面得到薄膜。如果采用TCl、N、Hh混合气体，在辉光放电条件下沉积TN，则将在基材表面吸收气相物质并产生反应，**形成薄膜沉积在基材表面上。反应过程中产生的辉光放电，有两种作用:

1、基材可得到均匀的加热，为薄膜沉积提供合适的温度环境;

2、放电中产生的离子对基材表面有清洗作用。

这两种作用可提高膜层结合力，加快反应速度。

PCVD等离子体化学气相沉积等离子体在电力激发的输入方式上有内部感应耦合和外部感应耦合两种方式，从镀膜过程的生产方式来讲，有连续式、半连续式和批量式等几种方式。

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