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等离子清洗机在核心加工工艺（如刻蚀、堆积以及惨杂）中的使用。

等离子清洗机在集成电路不同工序中的使用

出产半导体器材的**初质料为晶体硅或非晶体薄膜。等离子体化学气相堆积是出产a-Si：H的首要技能。等离子体化学气相堆积工艺凭借等离子体介质生成离子成分，离子成分随后参与反响并在基底外表实现堆积。与传统化学气相堆积工艺比较，等离子体化学气相堆积工艺可在温度远低于前者的处理温度下生成离子成分，同时，经过离子轰击，可以对薄膜进行改性。等离子体化学气相堆积工艺中的前驱膜一般为经惰性气体稀释的SH4气体，反响产品则为氢化非晶体硅薄膜。

等离子体清洗机在堆积工艺中的运用由以下四个进程组成。

（1）电子和反响气体发作电子碰撞反响，生成离子和自由基；（2）活性组分从等离子体传输到基底外表；（3）活性组分经过吸附作用或物化反响堆积到基底外表；（4）活性组分或反响产品成为堆积薄膜的组成部分。

在高密度等离子体化学气相堆积工艺中，堆积和刻蚀进程往往同时发作。该工艺中的三种首要机理为：等离子体离子辅佐堆积、氩离子溅射以及溅射资料的再堆积。在 高密度等离子体化学气相堆积（HDP CVD）工艺中，高密度等离子体源（如感应耦合等离子体（ICP）、电子回旋共振等离子体（ECR）或螺旋波等离子体（helicon））对包含硅烷、氧气和氩气的混合气体进行激起。经过将基底作为阴极，可将等离子体中的高能正离子招引至晶体外表，随后氧与硅烷发作反响生成氧硅烷，在由氩离子溅射进程除去氧硅烷。

在半导体制作中一般选用两种印刷线路制版技能，这两种技能彼此具有互补性。其间一种技能是将电介质印刷到金属外表，另一种技能则是将金属镶嵌在介质板上。前者即为离子刻蚀（RIE）制版技能，其操作进程如下：（1）在晶片外表堆积一层厚度均匀的金属层；（2）然后再外表均匀地涂一层光敏性聚合物——光刻胶；（3）经过光学手段将电路图案透射至光刻外表，从而改变其溶解性；（4）选用反响性刻蚀剂将易溶解部分去除，构成一层掩模层；（5）将未被掩模层保护的金属刻蚀去除；（6）经过等离子体去胶，将光刻胶剥除；（7）堆积二氧化硅或氮化硅，钝化外表。

第二种制版技能，即镶嵌技能的灵感源自于历史悠久的首饰镶嵌工艺，或称大马士革工艺。这种技能需求先在平面电介质层上刻蚀出纵横分布的沟槽，然后选用金属堆积工艺将沟槽内填充金属，从而在一个平面上镶嵌入所需电路。在堆积一层绝缘层后，即可重复进行下一层金属薄膜的镶嵌。