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供应碳化硅晶片厂家 4英寸SiC碳化硅衬底晶片

苏州恒迈瑞材料科技生产供应标准的2英寸3英寸4英寸6英寸碳化硅晶片，用于肖特基二极管（SBD），金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）,结型场效应晶体管（JFET）和双极结型晶体管（BJT）的制作。这些电子电力器件可广泛应用于太阳能逆变器，风力发电，混合动力及电动汽车等绿色能源和节能系统。

产品类型：4H-SI碳化硅衬底

掺杂：非掺杂厚度：500um±25um

尺寸：2英寸，3英寸，4英寸，6英寸

晶向：On axis : <0001>±0.5°

碳化硅功率MOSFET器件具有理想的栅极电阻、高速的开关性能、低导通电阻和高稳定性。在300V以下的功率器件领域是**的器件。有报道称已成功研制出阻断电压10kV的碳化硅MOSFET。研究人员认为，碳化硅MOSFET在3kV～5kV领域将占据优势地位。