西安精华伟业电气科技有限公司 已通过实名认证

   配置

      测试范围

      测试参数

                 条件

              范围

电压1000V

IGBT

绝缘栅极双极型晶体管

EAS/单脉冲雪崩能量

VCE

20V~4500V

20V~100V±3%±1V

100V~1000V±3%±5V

1000V~4500V±3%±10V

电流200A

MOSFETS

MOS场效应管

EAR/重复脉冲雪崩能量

IC

1mA~200A

1mA~100mA±3%±0.1mA

100mA~2A±3%±5mA

2A~200A±3%±50mA

DIODES

二极管

IAS/脉冲雪崩电流

PAS/单脉冲雪崩功率

Ea

1J~2000J

1J~100J±3%±1J

100J~500J±3%±5J

500J~2000J±3%±10J

IC(检测）

50mV/A(取决于传感器）

感性负载

10mH、20mH、40mH、80mH、100mH

重复间隙时间

1~60s可调（进步is）重复次数：1~50次