山东立国芯微电子有限公司 已通过实名认证

产品特性

▲内置高压 MOS 功率管

▲SMD PLUS **散热封装形式

▲内置抖频工作模式，有效降低 EMI RE/CE 辐射

▲深度恒流和**恒压的功能

▲无电容/原边反馈控制

■±4%恒压/恒流精度

■无音频噪声控制模式

■输出短路保护

■无需外接补偿电容和采样滤波电容

▲输出线缆掉电补偿

▲内置软起动功能

▲多模式控制方式

▲**待机功耗≤70mW

▲前沿脉冲消隐(LEB)

▲内置斜率补偿，降低次谐波震荡

▲完善的保护功能 OCP、OVP、SLP、OTP 和 UVLO

项目                                    参数范围

VDD 芯片供电引脚电压范围 -0.3~30V

CS 电流检测引脚电压范围 -0.3~7V

FB 输入反馈引脚电压范围 -0.3~7V

PDMAX 功耗※2 1.5W

θJA PN 结到环境的热阻 72℃/W

TJ 工作结温范围 -40~150℃

TSTG 存储温度范围 -55~150℃

ESD ESD※3 2KV

※1：最大极限值是指超出该工作范围，芯片有可能损坏。推荐工作

范围是指在该温度范围内，器件功能正常，但并不完全保证满足个

别性能指标。电气参数定义了器件在工作范围内并在保证特定性能

指标的测试条件下的直流和交流电气参数范围。对于未给定上下限

值的参数，该规范不与保证其精度，但其典型值合理反映了器件性

能。

※2：温度升高最大功耗一定会减小，这也是由 TJMAX、θJA 和环境

温度TA 所决定的。最大允许功耗为PDMAX=(TJMAX-TA)/ θJA 或是极限

范围给出的数字中比较低的数值。

※3：人体模式，100pF 电容通过 1.5KΩ 电阻放电。