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2015
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FF600R12ME4

发布时间：2019-07-31 浏览次数：20 返回列表

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极*电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.1 V
在25 C的连续集电极电流: 995 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 4050 W
**小工作温度: - 40 C
*工作温度: + 150 C
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极*电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs

零件号别名:FF600R12ME4

FF600R12ME4

制造商: Infineon

产品种类: IGBT 模块

产品: IGBT Silicon Modules

配置: Dual

集电极—发射极*电压 VCEO: 1200 V

集电极—射极饱和电压: 2.1 V

在25 C的连续集电极电流: 995 A

栅极—射极漏泄电流: 400 nA

Pd-功率耗散: 4050 W

**小工作温度: - 40 C

*工作温度: + 150 C

封装: Tray

商标: Infineon Technologies

安装风格: Chassis Mount

栅极/发射极*电压: 20 V

产品类型: IGBT Modules

工厂包装数量: 10

子类别: IGBTs

零件号别名:FF600R12ME4

FF600R12ME4

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