SKM200GB12T4
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产品概述SKM200GB12T4是一个SemiTrans®3快速IGBT模块,用于交流逆变器驱动器和UPS。它具有使用DBC技术(直接结合铜)的绝缘铜基板和增强的功率循环能力。半桥开关IGBT4=4代中速沟道IGBT(英飞凌)CAL4=软开关第4代Cal二极管集成栅电阻对于高达12kHz的开关频率电源管理,维护与修理产品信息结晶体管极性:双N沟道集电极直流电流:313A集电极发射饱和电压,
VCE:1.8V功率pd:—集电极发射电压,VCEO:1.2kV结晶体管封类型:
模块针脚数:7引脚工作温度*值:175°C产品范围:查找类似产品选择并修改以上属性即可以查找类似产品。SKM200GB12T4的替代之选SKM200GB12V型SKM200GB12V型2423695个赛米控结晶管,IGBT列和模块,双N沟道,311A,1.75V,1.2kV,模块FF200R12KT4HOSA1FF200R12KT4HOSA12377249个英飞凌结晶管,IGBT列和模块,双NPN,320 A,1.75 V,1.1 kw,1.2 kv,模块FF200R12KE3HOSA1FF200R12KE3HOSA12726122个英飞凌