PESD5V0V1BL ESD保护设备低电容ESD保护设备PESD5V0V1BL Nexperia安世半导体_供应产品

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2015
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NXP,ST,TI,AT,TOS,MIC,ADI,FCS,MPS,NS,ON,BB
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深圳市福田区中航路都会100大厦B座14Q室

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PESD5V0V1BL ESD保护设备低电容ESD保护设备PESD5V0V1BL Nexperia安世半导体

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产品：	浏览次数：202PESD5V0V1BL ESD保护设备低电容ESD保护设备PESD5V0V1BL Nexperia安世半导体
品牌：	NXP
单价：	1.00元/个
最小起订量：	1 个
供货总量：	10000 个
发货期限：	自买家付款之日起 1 天内发货
有效期至：	长期有效
最后更新：	2019-10-29 11:45
	询价

详细信息

类型：单片机
型号：PESD5V0V1BL
封装：SOT23
提供加工定制：是|否
处理器速度：PESD5V0V1BL
功率：X
存储容量：PESD5V0V1BL
批号：19+
电源电流：PESD5V0V1BL
电源电压：PESD5V0V1BL
频率：PESD5V0V1BL
驱动芯片类型：PESD5V0V1BL
针脚数：3
用途：电视机

ESD、EMI和信号调节通用ESD保护设备低电容ESD保护设备PESD5V0V1BLPESD5V0V1BL
极低电容双向ESD保护二极管
极低电容双向静电放电(ESD)保护二极管采用小型表面贴装设备(SMD)塑料封装，保护单条信号线免受ESD和其他瞬态电压导致的损坏。
特性和优势
单条线路的双向ESD保护
高达30 kV的ESD保护
极低二极管电容：Cd = 11 pF
IEC 61000-4-2四级(ESD)
**峰值脉冲功率：PPP = 45 W
IEC 61000-4-5（浪涌）；IPP = 4.8 A
低钳位电压：VCL = 12.5 V
符合AEC-Q101标准
超低漏电流：IRM
应用
计算机和外设
通信系统
音频和视频设备
便携式电子设备
和附件
10/100 Mbit/s以太网
用户身份识别模块(SIM)卡保护
FireWire

ESD、EMI和信号调节通用ESD保护设备低电容ESD保护设备PESD5V0V1BLPESD5V0V1BL
极低电容双向ESD保护二极管
极低电容双向静电放电(ESD)保护二极管采用小型表面贴装设备(SMD)塑料封装，保护单条信号线免受ESD和其他瞬态电压导致的损坏。
特性和优势
单条线路的双向ESD保护
高达30 kV的ESD保护
极低二极管电容：Cd = 11 pF
IEC 61000-4-2四级(ESD)
**峰值脉冲功率：PPP = 45 W
IEC 61000-4-5（浪涌）；IPP = 4.8 A
低钳位电压：VCL = 12.5 V
符合AEC-Q101标准
超低漏电流：IRM
应用
计算机和外设
通信系统
音频和视频设备
便携式电子设备
件
10/100 Mbit/s以太网
用户身份识别模块(SIM)卡保护
FireWire

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