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设备简介：
  均温氧化扩散炉应用于半导体器件、分立器件、光电子器件、电力电子器件、太阳能电池及大规模集成电路制造等领域对晶片进行扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺，可用于2-8英寸工艺尺寸。

设备特点：

 1.温场均匀，恒温区长度及精度：300～1250mm  800~1200℃±1℃

 2.具有强大的软件功能，NBD-101EP嵌入式操作系统，用户可以方便地修改工艺控制参数，并可随时显示各种工艺状态；配有故障自诊断软件；  3.程序可以实现手/自动工作，在停电或中途停机后，再次启动可以根据工艺手动升温，节省工艺时间；  4.具有多种工艺管路，可供用户方便选择；  5.冷端检测环境温度进行温度补偿，避免环境温度变化，对炉膛温度产生影响，避免层间干扰； 

 6.可存储多组PID参数供系统运行调用功能，具有多点温度补偿 7.气体流量采用数字化**控制，采用模拟信号闭环控制，强弱电分开，各种数据交互采用标准总线，提高抗干扰能力，保证数据安全；气体打开具有缓启动功能；  8.具有多种报警功能及安全保护功能； 9.恒温区自动调整，串级控制，可准确控制反应管的实际工艺温度；  10.压力自动调整技术，将压力参数引入晶体硅氧化工艺，有效减小了尾部排风对工艺的干扰，减小由排风引起的工艺波动。

服务支持：一年有限保修，提供终身支持。