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项目
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详细参数
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|---|---|
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型号
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BZX884-B16
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制造商
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Nexperia (安世半导体)
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分类
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分立器件 / 齐纳稳压二极管 (Zener Diode)
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封装
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SOD882 / DFN1006-2 (1.0mm × 0.6mm × 0.48mm)
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项目
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详细参数
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|---|---|
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型号
|
BZX884-B16
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制造商
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Nexperia (安世半导体)
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分类
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分立器件 / 齐纳稳压二极管 (Zener Diode)
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封装
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SOD882 / DFN1006-2 (1.0mm × 0.6mm × 0.48mm)
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核心电气参数
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参数名称
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符号
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典型值
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条件/备注
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标称齐纳电压
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Vz
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16 V
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测试电流 Iz = 5 mA
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电压容差
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-
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±2 %
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B系列为高精度(C系列为±5%)
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最大功率耗散
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Ptot
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250 mW
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Tamb ≤ 25°C
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最大正向电流
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IF
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200 mA
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-
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齐纳阻抗
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Zzt
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~40 Ω
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Iz = 5 mA
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反向漏电流
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IR
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≤ 50 nA
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VR = 12 V (典型值)
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正向压降
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VF
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~0.9 V
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IF = 10 mA
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结温范围
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Tj
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-55°C ~ +150°C
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-
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企业特殊行业经营资质信息公示

