企业特殊行业经营资质信息公示
点击图片查看原图******* K4A8G165WC-BITD
产品详情如下：
? 基本标识
- •品牌：*******（三星半导体）
- •完整型号：K4A8G165WC-BITD（后缀 BITD = DDR4-2666 / 工业温度 / FBGA96 / 编带包装）
- •系列：8Gb C-die DDR4 SDRAM ×16
- •状态：Active（在产）
⚙️ 关键电气规格
参数 | 数值 |
|---|---|
存储密度 | 8Gb（1 Gigabyte） |
组织结构 | 512M × 16 bit（x16 数据总线） |
类型 | DDR4 SDRAM（第四代双倍数据率同步动态随机存取存储器） |
速度等级 | DDR4-2666（CL19-19-19，tCK min = 0.75ns） |
工作电压 VDD/VDDQ | 1.2V（范围 1.14V ~ 1.26V） |
VPP（激活电压） | 2.5V（范围 2.375V ~ 2.75V） |
Bank 结构 | 8 Banks / 2 Bank Groups |
预取位宽 | 8-bit prefetch |
Burst Length | BL8 / BC4 |
平均刷新周期 | 7.8μs（Tcase < 85℃），3.9μs（≥85℃） |
工作温度 | 0℃ ~ +95℃（商用级，部分资料标注 -40℃~+95℃） |
典型工作电流 IDD | ≈166 mA（@2666Mbps） |
封装 | 96-ball FBGA（Fine-pitch BGA），7.5×13.3mm |
环保 | RoHS / 无铅 / 无卤素 |
