企业特殊行业经营资质信息公示
点击图片查看原图半导体技术的一个重要目标是减少构成所有半导体器件中，晶体、多晶和非晶层中固有的和由工艺引起的缺陷。杂质、晶界、晶面等引起的缺陷导致陷阱的产生，陷阱可以俘获自由电子和空穴。即使浓度非常低，陷阱也能极大地改变设备的性能。深能级瞬态光谱(DLTS)是现在一种非常通用的技术，用于测定与陷阱相关的几乎所有参数，包括密度、热界面（热发射率）、能级和空间剖面。
主要特点
●快速而灵敏地检测半导体中的电活性缺陷
●高灵敏度：体陷阱检测限< 109 atoms/cm3；
●具有低至3微秒的快速响应时间
●具有对过载的快速恢复能力以及对泄露电流的高免疫能力
●快速温度扫描能力：每8分钟100K且不影响灵敏度
●高达60dB的背景电容抑制能力度
●数字***包括：16位分辨率，1毫秒的采样增量，50倍的时间跨度，和不限平均点数的平均瞬态
●单次温度扫描可同时记录不同发射率窗下的8幅谱图
主要应用
●PN结 ●肖特基二极管
●MOS管 ●LED
●场效应管 ●半导体激光器
●高电阻率半绝缘材料
