FT838NB2-5V1A/5V2A充电器IC
一级代理FT838NB/FT838RNA内置三极管驱动IC-方案成本**可达1.6
FT838NB/FT838RNA是一款高性能,低功耗的开关电源控制芯片,它集成恒流恒压控制模块,能在无光耦和TL431的情况下实现次级恒流恒压。FT838NB/FT838RNA还集成了欠压锁定,前沿消隐,内置输出线损补偿,输入电压补偿和内置开关功率NPN,利用这些功能客户可以方便实现一个最小外部元器件和低成本的AC-DB电源模块。FT838NB应用于电源供应器可同步实现**下半场效率和快速动态负载供应,FT838RNA应用于LED驱动,待机电流略高(~22uA)。
FT838NB、FT838RNA集成丰富的保护功能,如VCC过压保护,OTP过温保护,反锁回路开路保护,这些保护功能不但能简化外部电路,而且能够提高电源模块的可靠性。
FT838NB/FT838RNA的封装格式为SOP8,满足无铅或绿色环保标准。
FT838NB/FT838RNA是一款高性能,低功耗的开关电源控制芯片。它集成恒流恒压控制模块,能在无光耦和TL431的情况下实现次级恒流恒压。FT838NB/FT838RNA还集成了欠压锁定,前沿消隠,内置输出線损补偿,输入电压补偿和内置开关功率NPN,利用这些功能客户可以方便实现一个最小外部元器件和低成本的AC-DC电源模块。FT838NB应用于电源供应器可同步实现**平均效率和快速动能负载响应。FT838RNA应用于LED驱动,待机电流略高(~22UA)。FT838NB/FT838RNA集成丰富的保护功能,如VCC过压保护,OTP过温保护,反馈回路开路保护,这些保护功能不但能简化外部电路,而且能够提高电源模块的可靠性。
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FT838NB/FT838RNA的封装格式为SOP8,满足无铅或绿色环保标准。
这份应用资料介绍了FT838NB/FT838RNA系列原边反馈控制芯片及其应用电路。详细描述了它的特点和工作原理并结合实际的应用方案介绍外围电路的设计流程。
应用范围
1、待机功耗要求严格的待机电源应用
2、span>PDA数码相机等电池充电器产品
3、ADSL, 无绳等适产品
4、LED射灯、灯杯和球泡灯等照明产品
特点
1、无光耦及TL431反馈
2、脉冲频率调制控制模式(PFM)
3、内置功率NPN三极管
4、内置抖频功能来改善EMI性能
5、每一个开关周期的电流限制功能
6、过压保护(OVP)
7、欠压锁定(UVLO)
8、输出短路保护
9、内置输出线损补偿
10、输入线电压补偿提高输出电流精度
芯片版本与管脚定义
芯片本版 |
线损补偿比例 |
FT838NB0 |
0% |
FT838NB1 |
3% |
FT838NB2 |
6% |
FT838NB3 |
9% |
FT838RNA |
N/A |
表1FT838NB/FT838RNA 芯片功
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FT838NB内置输出线损补偿用户可根据实际输出导线情况选择合适的芯片版本。FT838RNA主要应用于LED驱动应用故无线损补偿。
管脚号 |
管脚名称 |
注解 |
1 |
CS |
初级电流检测端 |
2 |
FB |
输出电压反馈端 |
3 |
VCC |
供电端 |
4 |
NC |
该管脚悬空 |
5 |
GND |
芯片的地 |
6 |
||
7 |
C |
功率NPN的集电极 |
8 |
表2 引脚定义
这款高度集成的原边反馈控制芯片包含了许多功能内置功率NPN开关这些功能有效地提高了小功率反激变换器性能。原边反馈的拓扑结构简化了电路设计降低了物料成本。通过芯片内部的抖频技术使得EMI处理更加简单。所以与传统线性变压器设计电路比较产品成品体积小重量轻。
这款原边反馈控制芯片工作在脉冲频率调制PFM模式下负载越轻频率越小所以轻载时系统的功耗很小。FT838NB启动电流**为5uA所以可以使用很大的启动电阻从而提高了节能效果。
这款原边控制芯片同时也提供了非常多的保护功能。FB引脚配置了输入欠压锁定。每一周期的电流限制和恒流控制保证了在重载下的过流保护。另外芯片能快速关断当异常状况解除后能及时重启。
通过使用这款原边反馈的芯片充电器(或适配器, LED驱动电源) 能够用很少的外围器件和**的成本实现恒压和恒流的功能。
内部工作框图
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恒压控制
原边反馈的控制方法可以在无需副边电压与电流检测的情况下实现**的恒压/恒流控制。图 2是典型应用线路。图3是芯片内部框图 图4是一些主要的波。副边输出状态是在功率三极管关断时从原边的辅助绕组得到的。使用一些独特的采样方法来复制输出绕组电压(Vs)和副边二极管的放电时间(Tdis)。采样后的电压与内部**的参考电压(VFB)比较后再通过调制误差放大器的输出来确定开关管的关断时间。这种简易的方法实现**的输出电压调节。
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恒压控制
原边反馈的控制方法可以在无需副边电压与电流检测的情况下实现**的恒压/恒流控制。图 2是典型应用线路。图3是芯片内部框图 图4是一些主要的波。副边输出状态是在功率三极管关断时从原边的辅助绕组得到的。使用一些独特的采样方法来复制输出绕组电压(Vs)和副边二极管的放电时间(Tdis)。采样后的电压与内部**的参考电压(VFB)比较后再通过调制误差放大器的输出来确定开关管的关断时间。这种简易的方法实现**的输出电压调节。 恒流控制
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图4所示
输出电流Io在断续模式(DCM)的反激拓扑中可以通过方程(1) 来表达。
1 其中
Nps是原边与副边线圈匝数比。
Rcs是电流检测电阻的阻值。
Vcsth是Rcs上的电压限制值。
芯片内部设定Vcsth=0.55V
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