企业特殊行业经营资质信息公示
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方案名称：FT8900DD_80V/2000mA
-24W
用：日光灯
功率：16W
结构工作模式：非隔离
基本参数：
输入电压范围：90~264V
输出电压/电流：80V/200mA
PF: 0.92
尺寸：150*16*10mm
典型效率：90％
ＥＭＩ：Ｎ／Ａ
方案名称：FT8900DD_80V/2000mA
产品优势：
1.全电压输入范围：90~264V，可满足80V高电压输出
2.高效率>90% @115/230V
3. 内置MOS，DIP8封装，外围元件少
4.高恒流精度±3%,多重保护
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FT890xx 系列是采用 Buck 架构的非隔离LED 驱动控制芯片，芯片自带有源 PFC 控制，能在全电压范围内实现高 PF 值。
FT890xx 采用固定频率的 PWM 工作模式，通过采样电感电流，与内部基准电压进行误差放大，控制占空比，形成闭环网络，从而实现高恒流精度和高输入/负载调整率。
FT890xx 内部集成丰富的保护功能，包括LED 短路保护，开路保护，过温保护，逐周期过流保护，VCC 过压保护，欠压锁定等。同时，为了保护功率 MOSFET，驱动输出具有电压钳位功能。
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通过使用这款芯片，LED 驱动电源能够在非常低的 BOM COST 的同时得到高精度、高 PF的性能。
电 流 IST 而 小 于 OVP 时 的 工 作 电 流
ICC_OVP：
Vin - VCCV - VCC
R1 in
I CC _ OVPI ST
立输出电压。
（1）
b) C1 的选择必须保证只需一次启动即可建
C1 >
芯片功能描述
启动
FT890xx 的启动电流很低，因此可以使用较大的启动电阻，以减少启动电阻的功率损失。输入 AC 电压上电后，通过启动电阻 R1 对 VCC 电容 C1 进行充电，当充电至开启电压（VCC_on）
4 所示，TSTC 为 VCC 电容 C1 的充电时间，而
通常情况下 TSTO 远小于TSTO 为输出建立的时间，时，芯片开始工作。启动过程包括两部分，如图TSTC。VCC 电变窄。
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FT890xx 的开启和关断阈值电压分别为 16V和 8V。迟滞特性确保输入电容能在启动过程中对芯片正常供电。为了使 LED 驱动器快速地启动，应当选择与输入电容相匹配的启动电阻。输入电容有储能和滤波的功能，对于大多数的应用，一般建议使用一个 4.7~10uF 的陶瓷电容。输入电容 C2为实现 PFC 目标，输入电容 C2 不能太大，一般使用 47~100nF。启动完成后，输出端通过辅助绕组经过二极管 D2 对 VCC 供电，此时 VCC 电压为：
VCC =
I CC ´ TSTO
VCC ,ON - VCC ,OFF
Vo
- VD 2
N
Vin - VCC
- I ST ) ´ TSTC
R1C1 =
VCC ,ON
(
(1)
其中 N 为主电感与辅助绕组的匝数比，VD2为二极管 D2 的导通压降。VCC 可由电感辅助绕组供电，也可由输出端直接供电。辅助绕组供电时，系统输出电压有更宽的变化范围；而由输出端直接供电时，系统设图 12 启动启动电阻和启动电容设计规则为：a) 必须保证流经 R1 的电流大于芯片启动计更简单，但效率有所下降且输出电压变化范围过压保护
Preliminary FT890xx
当 VCC 电压过高时，进入 VCC 过压保护状态，MOSFET 停止开关，系统将进入自动重启。如下图所示。
图 13：驱动电路
其中，R2 取值建议在 100ohm 以下，而 R3取值建议在 20~50Kohm 范围内。FT890xx 具有钳位电路将 DR 端电压钳在 13.5V 以下，以保护功率 MOSFET。PWM 控制模式
恒流控制
FT890xx 由 CS 端采样电感电流，与内部基准电压 0.2V 进行误差放大与积分运算，控制占空比，形成闭环反馈，从而得到**的输出电流
平均值。
制模式。同时，为了提高 EMI 性能，芯片自带±4%
的频率抖动。**占空比为 90%，最小导通时间
IO =
0.2
R4
（1）
COMP 端补偿网络补偿网络的设计是 PFC 控制回路中的重要部分，因为它能显著地影响 THD 的高低和系统稳定性。为使系统稳定，系统带宽要设计得很低，通常要求在 10Hz 以下。最简单的补偿网络是用一个 1~4.7uF 的电容 C4 去构造积分器。同时，C4 必须靠近 COMP 脚，不可距离太远。并且，C4 的负端与 IC 的地端之间的连线不可太长，同时保证没有大电流流过这段连线。LEB）功率 MOSFET 每次开启时，采样电阻上都不可避免地会产生一个毛刺。为了避免误触发，芯片内置了一个延时为 500nS 的前沿消隐，采用传统的 RC 滤波器构成。在前沿消隐期间，OCP比较器会被屏蔽掉。过流保护（OCP）
FT890xx 内置了逐周期过流保护功能，通过限制 CS 电压，将电感峰值电流限制在 OCP 阈值以下。内部的 OCP 比较器检测 CS 电压，当CS 电压大于阈值时，功率 MOSFET 会被立即关断，等下个开关周期到来后，功率 MOSFET 才FT890xx 采用 45KHz 固定频率的 PWM 控DR 端驱动电路对于 FT8900/FT8901/FT8902，DR 端为 IC驱动输出，外接 MOSFET 栅极，控制的导通与关断，可采用下图驱动电路：I OCP =R4 为外部采样电阻。Vref_ocp 为内部 OCP 基准电压，典为 0.8V；
过温保护（OTP）FT890xx 内置了过温保护功能，当芯片内部
Vref _ OCP
R4
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