N-channel MOSFET
Features
■ High ruggedness
BVDSS : 500V
■ RDS(ON) (Max 3.15Ω)@VGS=10V
ID
: 3A
■ Fast reverse recovery body diode
RDS(ON) : 2.70ohm
■ Improved dv/dt Capability
■ Avalanche Tested
暂未查询到工商信息
企业特殊行业经营资质信息公示
深圳市尚微半导体有限公司普通会员
更多产品分类
站内搜索 更多友情链接
|
YF5N50B--NMOS,耐压500V,TO252封装,高速风筒专用MOS
详细信息
N-channel MOSFET Features ■ High ruggedness BVDSS : 500V ■ RDS(ON) (Max 3.15Ω)@VGS=10V ID : 3A ■ Fast reverse recovery body diode RDS(ON) : 2.70ohm ■ Improved dv/dt Capability
■ Avalanche Tested
|