中科君芯JFG14N40G 40V N沟道增强型功率驱动器 替英飞凌 安森美 华润微 是种特定的功率场效应晶体管(MOSFET)主要应用在电池管理 、系统与电源管理,MOSFET由于其低导通电阻、大电流能力和逻辑电平驱动的特性,特别适用于需要高效、大电流驱动的电路,如汽车电子、工业控制等领域。其关键参数和特性如下:
功能特性:
设备额定电压VDS:=40V,连续工作时漏极电流上限 ID = 150A
导通电阻=2.7mΩ (typ.) 栅源电压= 10V, 漏极电流 = 20A
•专有高密度沟槽技术
符合RoHS和无卤素 (不含卤素或卤素含量极低的材料或产品)
封装:TO-220-3L
电气特性:
VDS(Drain-Source Voltage):40V
VGS(Gate-Source Voltage):±20V
ID(Continuous Drain Current):Tc=25°对应漏极电流上限150A,Tc=100°对应漏极电流上限值95A
IDM(Pulsed Drain Current):600A
PD(Total Power Dissipation):TC = 25℃ 对应1.4W,TA = 25℃对应2.15W
EAS单脉冲雪崩能量:150mJ
RθJA(Junction to Ambient (mounted on 1 inch square PCB)热阻:58C\W
RθJC:结到壳的热阻:1.2°C\W
TJ\TSTG:-55 to +150°C
除非另有说明,TC=25℃

企业特殊行业经营资质信息公示

