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  • 企业类型:

    其他

  • 经营模式:

    贸易商,其他机构

  • 荣誉认证:

        

  • 注册年份:

    2015

  • 主     营:

    深圳市泰凌微电子有限公司

  • 地     址:

    广东省深圳市龙岗区坂田街道星河World B座2802

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中科君芯JFG8N30G 30V-N沟道增强模式功率驱动器 替英飞凌 安森美 华润微
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产品: 浏览次数:160中科君芯JFG8N30G 30V-N沟道增强模式功率驱动器 替英飞凌 安森美 华润微 
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最后更新: 2026-08-17 16:48
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详细信息
  • 类型:其他IC
  • 型号:JFG8N30G
  • 封装:SOP-8L
  • 提供加工定制:是|否

中科君芯JFG8N30G 30V-N沟道增强模式功率驱动器 替英飞凌 安森美 华润微 ‌是一种电子元件,主要用于电池管理系统和电源管理、消费适配器、电子工具和DC/DC 转换器。其工作原理基于增强型MOSFET(metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),通过控制栅极电压来调节源极和漏极之间的导电通道,从而实现电流的控制。

功能特性:

• 设备额定电压VDS:=30V,连续工作时漏极电流上限 ID = 8A

• 导通电阻=15mΩ (typ.) 栅源电压= 10V, 漏极电流 = 8A

导通电阻=25mΩ (typ.) 栅源电压= 4.5V, 漏极电流 = 6A

• 专有高密度沟槽技术

•环保标准‌:符合RoHS 标准,无铅封装,环保性能良好,不含卤素或卤素含量极低

封装:SOP-8L

参数:

‌VDS(Drain-Source Voltage)‌:30V‌VGS(Gate-Source Voltage)‌:±20V‌ID(Continuous Drain Current)‌:Tc=25°对应最大漏极电流上限8.9A,Tc=70°对应漏极电流上限最大值7.1A‌IDM(Pulsed Drain Current):64APD(Total Power Dissipation)‌:TC = 25℃ 对应2.15W,TA = 70℃对应0.86WEAS单脉冲雪崩能量:8mJRθJA热阻:58°C\WRθJL:结到壳的热阻:20°C\W‌TJ‌\TSTG‌:-55 to +150°C注:电气特性 除非另有说明,TC=25℃

 

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