企业特殊行业经营资质信息公示
营业执照已认证 
点击图片查看原图英诺赛科推出基于INN650D01+INN650D02打造的100W氮化镓GaN***方案
一、特性简介
（1）采用PFC+高频QR反激+同步整流方案（NCP1662+NCP1342 + MP6908）
（2）高频&高效 InnoGaN™ 功率管（INN650D01+INN650D02）
（3）高效可靠的驱动方案
（4）71*56*21.6mm方案尺寸，比同功率等级传统方案小50%
（5）18W/in³的高功率密度
（6）92.5%的峰值效率
（7）4个高功率充电端口，2个USB-C(支持PD3.0)和2个USB-A(支持QC3.0)
（8）所有接口，皆可快充，可同时满足4台设备快速充电
（9）智能功率调节
英诺赛科（Innoscience) 650V增强型氮化镓GaN场效应晶体管INN650D01和INN650D02，主要用在快充高效高功率密度***方案设计之中。
二、氮化镓GaN改变快充的应用，主要体现在以下的三大优势：
（1）氮化镓GaN快充***普通快充***的体积更小；
（2）氮化镓GaN快充***普通快充***的效率更高；
（3）氮化镓GaN快充***相比普通快充***的功率密度更高。
三、驱动电路之驱动电路设计：
100W氮化镓***方案工作原理:
开通：InnoGaN的Ciss通过左上图所示路径充电，Ron-Cc-Ciss-Rsense-CBYPASS
关断：InnoGaN的Ciss通过左上图所示路径充电，Cc-Roff-Rsense
由于高频的驱动电流要流经CBYPASS，因此在layout时CBYPASS电容
需要尽量靠近控制芯片，以免耦合噪音。
四、英诺赛科INN650D01+INN650D02氮化镓100W***温度测试效果说明如下图所示：
五、聚泉鑫科技代理英诺赛科INN650D01+INN650D02氮化镓100W***方案
