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4430 体硅增强型MOSFET

产品概要

通用描述

应用领域

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紫源电旺30V1018A导通电阻(@VGS=10V)6m2导通电阻(@VGS=4.5V)<8.5m0

府合标准

4430结合**的沟槽MOSFET技术与低电阻封装，提供极低的导通电阻Rds(on)。

PWM应用

负载开关

电源管理

108lDsIDsI0000

SOP-8封装

G:栅极

S:源极

D:漏极

绝对MAX额定值(除非另有说明，Tc=25C)

参数

漏源电压

栅源电压

漏极电流

脉冲漏极电流

总功耗

结到环境热阻

结温与存储温度范围

Tc=25C,VGs-10V

Tc=70'C,Vas-10V

Tc=25'C,VGs-10V

Tc=25C

Tc=70C

符号

酒电压

10

loM

PD

ls

REUA

结温,热阻

极限值

30