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3400AL N沟道增强型MOSFET

产品摘要

|通用描述

应用领域

原电旺

30伏

5.8安培

导通电阻(在VGs=10V时)导通电阻(在VGs=4.5V下)23毫欧

19毫欧

3400AL结合**的沟槽MOSFET技术与低电阻封装，提供极低的Rds(on)。

电池保护

负载开关

电源管理

G:栅极

S:源极

D:漏极

S0T-23封装

G栅极

**MAX额定值(除非另有说明，Tc=25C)

漏源电压

参数

栅源电压

漏极电流

脉冲漏极电流

总功耗

结到环境热阻

结温与存储温度范围

Tc=25C

Tc=70C

Tc=25C

Tc=70C

符号

Vos

标源电压

lo

DM

PD

R6JA

结温,存橘温魔范

限值