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03N30 NMOS N沟道增强型MOSFET

|产品概要

|通用描述

应用领域

顶视图

引脚1

福源电压

30伏

30安培导通电阻(@VGs=10V)9亳欧导通电阻(@VGs=4.5V)15毫欧

03N30结合**的沟槽MOSFET技术与低电阻封装，提供极低的Rds(on)。

硬开关和高频电路

负载开关

高电流负载应用

直流-直流转换器

底部视图

0D1DsPDFN 3.3x3.3

特合RoH5标)

符合标准

**MAX额定值(除非另有说明，否则Tc=25C)

参数

漏源电压

栅源电压

漏极电流

脉冲漏极电流

总功耗

单脉冲雪崩能量

结到壳热阻

结温与存储温度范围

Tc=25C

Tc=100C

Tc=25C

Tc=100C

符号漏源电压

栅源电压

10

lDM

PD

EAS

Reuc

结温，测试温度

限值

30

+20

单位电压

电压

30

安培