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企业特殊行业经营资质信息公示
供应科研高纯度贵金属黄金靶材及金基合金溅射靶材Gold(Au)Targets科研及PVD涂层材料
产品名称： | 高纯黄金及金基合金溅射靶材 |
牌号规格： | Au01、Au1、AuGe12、AuGeNi11.5-5、AuGeNi12-4、Au80Sn20 |
用途备注： | 金、金锗、金锗镍等溅射靶材通过磁控溅射工艺沉积在半导体芯片如GaAs、GaP、GaN等表面，形成欧姆接触膜、电极和连线膜。可形成多种金属化膜系统。 |
产 品 详 情
高纯贵金属金及合金是制造半导体芯片的关键基础材料。使用金靶材将金膜沉积在半导体芯片表面，形成欧姆接触膜、电极和连线膜，可形成多种金属化膜系统。该金属氧化膜系统可大量应用于制造发光二极管（LED），军民用微波通信器件，航天、航空等重要领域用半导体化合物以及芯片太阳能电池等领域。
另外，我们为客户提供铜背板与靶材的绑定服务技术（Bonding），由纯铟作为中间的焊接材料使用铜底板与靶材紧密的结合，有利于靶材表面温度的快速散掉，提高靶材的使用率。
化学成分
序号 | 合金牌号 | 主成分 | |||||||||
Au | Ge | Ni | Ga | Be | |||||||
1 | Au1 | ≥99.99 | | | | | |||||
2 | Au01 | ≥99.999 | —— | —— | —— | —— | |||||
3 | Au88Ge | 88±0.5 | 余量 | —— | —— | —— | |||||
4 | Au83.5GeNi | 83.5±0.5 | 余量 | 5±0.4 | | | |||||
备注：可按客户要求提供其它成分的产品。 | |||||||||||
外形尺寸(mm) | |||||||||||
合金牌号 | 形状 | 规格 | 允许偏差 | 厚度 | 允许偏差 | ||||||
Au1、Au01 | 圆形 | 100-250 | ±0.1 | 3～6 | ±0.2 | ||||||
方形 | 127×381 | ±1 | 3～6 | ±0.2 | |||||||
AuGe12、Au83.5GeNi、 | 圆形 | 100-250 | ±0.3 | 6 | ±0.5 | ||||||
方形 | 127×381 | ±1 | 6 | ±0.5 | |||||||
备注：可供其它规格和允许偏差的产品。 | |||||||||||
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黄金及金基合金溅射靶材Gold(Au)Targets
一、黄金靶材概述:
高纯贵金属黄金及金基合金溅射靶材Gold(Au)Targets，作为科研及PVD（物理气相沉积）涂层材料的佼佼者，以其**的纯度、高密度的物理特性以及独特的熔点，在半导体、光电子、航空航天等多个高科技领域展现出了非凡的应用优势。
我司深耕靶材领域十年，专注研发与生产，铸就行业精品。所生产单材质靶材如下：
SINGLE ELEMENTS 单材质靶材、电子束蒸发颗粒 | |
Aluminum (Al) | Nickel (Ni) |
Antimony (Sb) | Niobium (Nb) |
Arsenic (As) | Osmium (Os) |
Barium (Ba) | Palladium (Pd) |
Beryllium (Be) | Platinum (Pt) |
Boron (B) | Rhenium (Re) |
Cadmium (Cd) | Rhodium (Rh) |
Carbon (C) | Rubidium (Rb) |
Chromium (Cr) | Ruthenium (Ru) |
Cobalt (Co) | Selenium (Se) |
Copper (Cu) | Silicon (Si) |
Gallium (Ga) | Silver (Ag) |
Germanium (Ge) | Tantalum (Ta) |
Gold (Au) | Tellurium (Te) |
Hafnium (Hf) | Tin (Sn) |
Indium (In) | Titanium (Ti) |
Iridium (Ir) | Tungsten (W) |
Iron (Fe) | Vanadium (V) |
Lead (Pb) | Yttrium (Y) |
Magnesium (Mg) | Zinc (Zn) |
Manganese (Mn) | Zirconium (Zr) |
Molybdenum (Mo) | |
二、材料特性：
首先，从材料特性来看，高纯贵金属黄金及金基合金溅射靶材的纯度高达99.999%，这一超高的纯度确保了靶材在溅射镀膜过程中能够沉积出极其纯净且均匀的薄膜层，有效提升了产品的性能与可靠性。其密度达到19.3g/cm³，使得靶材在溅射过程中能够保持稳定的溅射速率和均匀的溅射面积，进一步保证了镀膜质量。而黄金的熔点高达1064.2℃，这一特性使得靶材在高温环境下依然能够保持稳定，满足各种极端条件下的应用需求。
三、在行业中，高纯贵金属黄金及金基合金溅射靶材的应用优势尤为突出。
1、在半导体领域，它们是制造集成电路芯片的关键材料，通过磁控溅射工艺，将金膜沉积在半导体芯片表面，形成欧姆接触膜、电极和连线膜，极大地提升了芯片的导电性能和稳定性。同时，金靶材的高纯度确保了薄膜层的纯净度，降低了芯片故障率，提高了产品的整体性能。
2、在光电子领域，高纯黄金靶材被广泛应用于平板显示器、太阳能电池等产品的生产中。通过PVD技术，金膜被**地沉积在基材表面，形成透明导电层或电极层，不仅提升了产品的光电转换效率，还增强了产品的耐候性和使用寿命。此外，金基合金靶材如AuGe、AuGeNi等，通过调整合金成分，可以进一步优化靶材的性能，满足更多样化的应用需求。
3、在航空航天领域，高纯溅射靶材同样发挥着重要作用。它们被用于制备各种高性能涂层，如耐磨涂层、防腐蚀涂层等，以提高飞机、火箭等飞行器的表面性能，延长使用寿命。金靶材的高密度和优异的物理性能使得这些涂层能够在极端环境下保持稳定，为飞行器的安全运行提供有力保障。
综上所述，高纯贵金属黄金及金基合金溅射靶材Gold(Au)Targets以其**的纯度、高密度的物理特性以及独特的熔点，在科研及PVD涂层材料领域展现出了广泛的应用前景和巨大的市场潜力。随着科技的不断发展，它们将在更多高科技领域中发挥更加重要的作用，推动相关产业的技术进步和产业升级。
