Centrotherm 高温退火/氧化系统-Activator/Oxidator 150
Centrotherm 高温退火炉系统-Activator 150
一、产品简介
Centrotherm Activator 150 高温炉设计用于SiC或GaN器件注入后退火。Centrotherm独特工艺炉管和加热系统设,允许工艺温度达到 1850 ℃。
此外,Activator 150 系列的产品可以实现生长石墨烯生长。通过碳化硅升华生长石墨层可以获得高性能器件。
Centrotherm 新一代SiC工艺炉管的研发用以满足新兴的150 毫米 SiC工艺。
Centrotherm Activator 150-5 是为研发工作而特制的,而Centrotherm Activator 150-50专为大批量生产设计。
广泛的工艺范围实现了对自定义化程序的优化, 例如温度, 气路系统和压力。
二、典型应用
SiC器件高温退火 (注入后)
GaN器件退火
大面积石墨烯生长
SiC表面制备
三、产品特性
性能和优势
高活化效率
最小表面粗糙度
**温度可达 1850 ℃
占地面积小 [1.8m2]
升温速率可达 100 K/min
批处理晶片尺寸包括 2″、3″、4″、6″
批处理数量达到 40片2″/或3″硅片, 50片4″/或6″硅片
真空度小于10-3 mbar (可选)
可并排安装
选项
上下料腔室微环境控制
自动机械手装片
测温热偶