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北京亚科晨晖科技有限公司

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  • 经营模式:

    制造商,贸易商

  • 荣誉认证:

        

  • 注册年份:

    2011

  • 主     营:

    光刻机、键合机、原子力显微镜、扫描电镜

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PICOSUN原子层沉积系统ALD R-300**版
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产品: 浏览次数:331PICOSUN原子层沉积系统ALD R-300**版 
单价: 面议
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最后更新: 2024-11-13 09:07
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详细信息
  • 加工定制:是
  • 型号:PICOSUN原子层沉积系统ALD R-300高级版
  • 用途:PICOSUN原子层沉积系统ALD R-300高级版
  • 别名:PICOSUN原子层沉积系统ALD R-300高级版
  • 规格:PICOSUN原子层沉积系统ALD R-300高级版

PICOSUN原子层沉积系统ALD R-300**版

(PICOSUN™ ALD P-300 Advanced)

 

名称:原子层沉积系统   产地:芬兰

 

Picosun简介

Picosun是yi家全球公司,Picosun的总部位于芬兰的Espoo,其生产设施位于芬兰的Masala(Kirkkonummi)。PICOSUN®ALD设备专为高产量和高产量而设计,并且不断发展以提高效率。Picosun适应性强其客户包括***  大的电子制造商,小型的创新型挑战者以及全球ling先的大学。 Picosun的组织机构和种类繁多的ALD解决方案都可以满足每个客户的需求。PICOSUN®研发工具具有独特的内置可扩展性,可确保将研究结果平稳过渡到大批量工业制造中,而不会出现技术差距。Picosun的热情在于创新。当您想与设备制造商共同创建定制的ALD解决方案,从而引ling行业发展时,Picosun是您的合作伙伴。

   PICOSUN™ R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术,并在各种各样的衬底上都表现**的均匀性,包括***具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更**的,易更换的前驱源系统,能够在晶圆、3D样品和各种纳米特性的样品上生长颗粒度***小的薄膜层。在***基本的PICOSUN™ R系列配置中可以选择多个独立的,完全分离的源入口匹配多种类型的前驱源。PICOSUN™ R系列独特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN™ P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN™反应腔室核心设计特点都是相同的,这消除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破创新的技术转化到生产中,就会吸引到企业投资。

 

PICOSUN®R-300**

Picosun™ 300mm生产线上的产品是300mm以下晶圆的自动化、高产量的工业ALD加工设备。包括PICOSUN™ P系列Pro和Advanced ALD设备。该工具可以独立工作,也可以集成到PICOPLATFORM™300真空集群系统以达到更高的产量和自动化水平。为了节约昂贵的设施空间,所有PICOSUN™的ALD系统有着紧凑、高效的设计。集成的专业机柜,装载着前驱体和电子元件,保证了快速简便的维护和***短的停机时间。PICOSUN™ P系列工具保证了***大产能以及***节约成本的情况下得到**的ALD工艺质量,并履行严格的现代半导体产业的生产力和安全要求。

工艺咨询和开发,产能提升,维护保养流程和系统及工艺的故障排除,我们客户化定制的PICOSUPPORT™综合解决方案24小时快速响应,随时待命。在购买之前,我们的演示服务保证了设备可以****满足客户***苛刻的产线需求。

 

技术指标

 

衬底尺寸和类型

156 mm x 156 mm硅片50~100片/批次(双面/背对背)

高达300 mm x 300 mm玻璃基板10~20片/批次(双面/背对背)

大批量的3D产品(例如:钟表部件,珠宝,硬币,医疗植入部件,机械部件等)

粉末与颗粒

Roll-to-roll, 衬底***大宽 300 mm

多孔,通孔,与高深宽比(HAR)样品

工艺温度

50-500℃

基片传送选件

气动升降(手动装载)

半自动装载,用线性装载器实现

全自动转载,用工业机器人实现

前驱体

液态、固态、气态、臭氧源

前驱源余量传感器,并提供清洗和装源服务

4根独立源管线,***多加载6个前驱体源

重量

400 + 300 kg

尺寸 (W x H x D)

149 cm x 191 cm x 111 cm

选件

PICOFLOW™ 扩散增强器,N2发生器,尾气处理器,定制设计,与工厂软件连接服务。

验收标准

标准设备验收标准为 Al2O3 工艺

 

 

应用领域

客户使用PICOSUN™ R系列ALD 设备在150mm和200mm(6“和8”)晶圆上所沉积薄膜厚度均匀性数据。

 

材料

非均匀性(1σ)

AI2O3 (batch)

0.13%

SiO2 (batch)

0.77%

TiO2

0.28%

HfO2

0.47%

ZnO

0.94%

Ta2O5

1.00%

TiN

1.10%

CeO2

1.52%

Pt

3.41%

 

 

 

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