点击图片查看原图中低压MOS供应VS3622DE，30V/35A，双N沟道**功率MOSFET
特征：双N通道，5V逻辑电平控制
增强模式
低导通电阻R DS（on）@ V GS = 4.5 V.
快速切换
100％雪崩测试
无铅铅电镀;
符合RoHS标准
VS3622DE
封装：P 沟道DFN3*3
刘云 18603037844
MOS现货供应4953
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中低压MOS供应VS3622DE，30V/35A，双N沟道**功率MOSFET
特征：双N通道，5V逻辑电平控制 增强模式 低导通电阻R DS（on）@ V GS = 4.5 V. 快速切换 100％雪崩测试 无铅铅电镀; 符合RoHS标准 VS3622DE 封装：P 沟道DFN3*3 刘云 18603037844
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