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    贸易商,其他机构

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    2013

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    专注于SiC(碳化硅)MOS管、全SiC功率模块、SiC碳化硅, SBD(肖特基势垒二极管)SiC元器件周边IC等代理分销,授权代理品牌有:ROHM、CREE,电子元器件代理与经销,电子元器件,集成电路IC,二三极管,十年一站式配单服务

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CREE科锐品牌现货碳化硅二极管SiC MOSFET汽车新能源工业设备功率元器件
发布时间:2020-07-31        浏览次数:13        返回列表

随着汽车电气化,智能化的持续推进,汽车中的电子产品越来越多,在ISO26262标准当中,对道路车辆的功能安全做了严格要求,那就是在任何故障情况下,都要能够保证系统的安全可靠。 因此,汽车除了有主电源、辅助电池外,还必须要有应急电源(EPS),以保证在汽车辅助电池失效情况下,为车辆安全转向和减速提供动力。而且这个应急电源不仅要在高压电池轨电压下可以工作,也要保证在低压的30V主电压母线情况下,也能继续工作。

 图1:应急电源在汽车中的位置及作用。 

为了应对此情况,Power Integrations(简称PI)于近期推出了专门适合此应用的一款反激式开关芯片InnoSwitch3-AQ,该芯片支持400V或者800V的母线供电,输入电压范围为30V~400V,可以为驱动电机控制和牵引控制器提供供电。重要的是该芯片已经通过了AEC-Q100认证。 

 图2:InnoSwitch3-AQ主要特性。

 该芯片还集成了750 V MOSFET可满足严格的汽车降额要求,片上同步整流控制器在标称400 VDC输入电压下可提供90%以上的效率。 他指出,优化后的InnoSwitch3-AQ设计可在整个输入电压范围内实现小于10 mW的空载能耗。InnoSwitch3-AQ系列IC采用表面贴装式InSOP封装,其初级至次级爬电距离为11 mm,超过了高海拔(5000米以上)绝缘的严格要求。 此外,阎金光还特意强调,InnoSwitch3-AQ经过了AEC-Q100标准认证,而且生产该芯片的晶圆厂和装配厂均已通过了IATF16949认证。值得一提的是,PI非常注重品质问题,InnoSwitch3-AQ的故障率小于0.02PPM。

 图3:StackFET方法的优势介绍。

 由于InnoSwitch3-AQ内部集成了750V MOSFET,因此可用于400V母线电压的应用,在典型应用中可以提供80%的降额。 阎金光还进一步指出,其实InnoSwitch3-AQ也适合800V的电压轨应用,不过需要选择StackFET模式来做。 他解释说,如图3所示,StackFET方法就是在初级测叠加另外一个MOSFET,串联后,电压就是串联的MOSFET的电压加上InnoSwitch3上的电压,这样就可以增加耐压了,也就是说能够很好地应对800V母线电压的需求。 阎金光还谈到了使用StackFET方法的另一个好处,那就是增加一个MOSFET后,还可以在器件之间分担散热。

 图4:DER-840Q参考设计。

 阎金光还介绍了PI的一个30W应急电源参考设计DER-840,该参考方案的输入范围是30VDC至550VDC,输出是12V。 “在输出端可以采用同步整流,也可以用普通的二极管整流。如果使用普通的二极管整流,可以采用PI的Qspeed汽车级整流二极管。我们的Qspeed是类似于SiC特性的二极管,但成本要便宜很多。”阎金光表示。 选择同步整流,还是二极管整流,主要还是看客户的需求,一般来说二极管整流更具成本优势,同步整流更加**。

 图5:DER-840Q在不同输入电压下的性能对比。

 除了InnoSwitch3-AQ,PI还介绍了另外两款产品linkSwitch-TN2Q和SCALE-iDriver,其中linkSwitch-TN2Q适合于汽车隔离和非隔离电源。输入范围为60至550VDC;也通过了汽车级AEC-Q100认证;漏源间距大于3mm,满足2kV防静电要求;所需要的元件数量少。 SCALE-iDriver则是为汽车应用中的SiC MOSFET提供驱动的。该芯片峰值门极输出电流是±8A;短路时关断速度非常快,小于3微秒;开关频率*可达150kHz;同样也通过了AEC-Q100认证。

 图6:InnoSwitch3-AQ和linkSwitch-TN2Q主要性能。

 



 
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