8 英寸晶圆扩膜机（200mm Wafer Expander / 扩晶机）8 英寸晶圆扩膜机（200mm Wafer E

一、工艺定位与用途

工艺流程顺序

：8 寸晶圆贴膜机 → 晶圆划片（切割）→

扩膜机

→ UV 照射机 → 固晶机（拾片 Pick&Place）

核心作用：

晶圆切割后晶粒彼此紧贴，通过

径向均匀拉伸 UV 切割膜 / 蓝膜

，扩大晶粒（Die）间距，防止拾片时吸嘴撞击相邻芯片；同时释放切割应力，降低崩片、掉片风险。

适用：8 英寸硅晶圆、碳化硅、砷化镓；兼容普通蓝膜、UV 切割膜；支持常规晶圆、超薄晶圆、带 DAF 膜晶圆。

二、工作原理

将装有晶圆的标准 8 寸划片框架（Dicing Frame）定位固定；中心载台伺服向上顶升，外圈压环压住框架边缘胶膜；配合平台恒温加热软化胶膜，胶膜均匀径向延展，晶粒同步向外散开；到达设定扩张高度后保压定型，完成扩膜。

两大路线：

1. 热扩（主流）：平台加热 40～80℃，胶膜升温提升延展性；
2. 冷扩（少数高端机型）：低温扩张，用于 DAF 膜、极易崩边超薄芯片。

三、机型分级（选型核心）

1）手动扩膜台（实验室、少量样品）

• 驱动：气缸 / 手摇顶升，无伺服闭环
• 操作：人工控制行程，无程序存储
• 优势：价格极低、占地小；缺点：扩张一致性差，间距波动大
• 适合：研发试样、高校实验室，不建议量产

2）半自动伺服扩膜机（国内封装厂主流）

半自动扩膜机实物

• 上下料：人工放置 Frame；扩张、保压、自动锁环全自动
• 驱动：伺服电机滚珠丝杆顶升，扩张高度 0.01mm 精度可调
• 标配：PID 恒温加热、触摸屏、多组工艺配方存储、ESD 防静电
• 可选配置：自动切边机构（裁除外围多余胶膜）、气动自动压环
• 节拍：40～70 片 / 小时
• 适用：中小批量量产，是 8 寸产线最通用机型

3）全自动扩膜机（大规模量产线）

全自动扩膜机

• 配置：晶舟自动上下料、机械手搬运 Frame、视觉 θ 定位、条码读取、对接 MES/SECS-GEM
• 可集成：扩膜 + UV 预固化一体、扩膜 + 晶粒检测
• UPH：60～90 片 / 小时
• 适用：大型封测厂高产能产线

4）特殊机型：激光隐切专用扩膜分离一体机（DISCO DDS 系列）

除常规扩膜，内置扫描弯折机构，完成

隐切晶圆晶粒彻底分离

，针对 SD 隐形切割工艺。

四、标准通用技术参数（8 寸标准半自动机型）

表格

五、主流品牌参考

进口机型

1. 
   
2. Powatec（瑞士）：台式手动 / 半自动扩膜台，研发设备常用

国产机型（性价比高，8 寸产线大量替代进口）

智联德

六、选型关键建议

1. 常规厚硅片、普通封装、日产能＜500 片 → 伺服半自动扩膜机（标配加热）
2. 超薄晶圆＜150μm、微小晶粒（＜0.8mm）、易崩边芯片 ✅优先选：伺服分段慢速扩张 + 闭环压力控制机型，不要简易气缸款
3. 带 DAF 胶膜产品：咨询设备厂启用低温扩张工艺，防止 DAF 分层
4. 需要减少后道人工撕胶膜 → 选配自动切边模块
5. 与贴膜机搭配提醒：8 寸贴膜机、扩膜机务必统一框架规格，避免互换干涉

七、扩膜常见不良与对策

1. 晶粒间距不均匀：顶升不同心、压环平面度差；降低扩张速度，定期校准中心
2. 胶膜破裂：扩张高度过大、温度过高、胶膜选型错误；分段缓慢顶升
3. 扩膜后回缩：保压时间不足；增加保压延时，优化加热参数
4. 芯片崩边：扩张速度过快，超薄晶圆降低扩张速率，采用热软化渐进拉伸

配套设备组合参考（完整 8 寸划片链路）

8 英寸半自动贴膜机 → 8 寸晶圆切割机 → 英寸扩膜机

  UV 解胶照射机 → 固晶机

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