企业特殊行业经营资质信息公示
点击图片查看原图全自动晶圆贴膜设备
全自动晶圆贴膜设备一、主要应用工序
- 背磨贴膜（BG）：晶圆正面贴保护胶膜，背面研磨减薄，防止晶圆划伤、崩边；常用 UV 背磨膜，研磨后 UV 照射降粘便于撕膜。
- 划片贴膜（Dicing）：晶圆背面贴切割 UV 蓝膜，固定在金属框架，划片时保护芯片，切割后 UV 照射降低胶黏力，方便芯片拾片（Pick‑and‑Place）。
- DAF 贴膜：贴芯片固晶膜，切割后直接用于芯片粘接，简化封装流程DISCO Corp...。
- 适配基材：硅片、碳化硅 SiC、氮化镓 GaN 等化合物半导体晶圆。
二、核心工作流程
FOUP 自动上料 → 机械手取片 → CCD 视觉定位对中 → 真空吸盘吸附晶圆 → 送膜机构输出胶膜 → 滚轮热压 / 真空压合贴膜 → 自动套金属框架 → 圆周刀自动裁切多余胶膜 →（可选 UV 固化照射）→ 废膜剥离 → 成品晶圆框架出料至晶圆盒Nitto Denk...。
两种主流压合方式
- 滚轮热压式：伺服滚轮，压力、温度、膜张力闭环控制，适合常规硅晶圆，量产主流。
- 真空腔压差贴膜：无硬滚轮接触，适合超薄晶圆、带台阶、金属镀层晶圆，降低碎片风险。
三、关键技术参数（行业通用区间）
表格
| 项目 | 参数范围 |
|---|---|
| 兼容晶圆尺寸 | 2/4/6/8/12 英寸（Φ50‑300mm） |
| 晶圆厚度 | 25 μm‑775 μm（支持超薄薄片）DISCO Corp... |
| 对位精度 | X/Y ≤±0.1 mm；角度 θ ≤±0.5°DISCO Corp... |
| 贴膜气泡率 | ＜0.01%‑0.3%，无褶皱翘曲 |
| 膜材类型 | UV 切割膜、非 UV 蓝膜、背磨保护膜、DAF 膜 |
| 台盘温度 | 室温～120℃可调（温控精度 ±1℃） |
| UPH 产能 | 30‑60 片 / 小时，视晶圆尺寸与工艺选项而定Nitto Denk... |
| 自动化 | FOUP 自动上下料、Recipe 存储、SECS/GEM 通讯对接产线 MESNitto Denk... |
| 防静电 | 整机 ESD 防护、离子除静电，防止器件静电击穿 |
四、设备主要模块
- 晶圆搬运模块：机械手，FOUP / 晶圆盒自动上下料；
- 视觉对位模块：CCD 图像定位，晶圆缺口 / 平边识别，自动找正；
- 真空吸盘台盘：分区真空吸附，适配不同厚度晶圆，防静电特氟龙涂层；
- 送膜与张力控制模块：伺服闭环张力控制，防止薄膜拉伸褶皱；
- 贴膜压合模组：热压滚轮 / 真空压合腔体；
- 自动切膜机构：圆周旋转切刀，可加热，沿框架外圈裁断胶膜；
- UV 照射模组（选配）：365nm UVLED，用于 UV 膜解胶；
- 废膜剥离回收模组：自动撕除废膜，废料收卷；
- 电控与通讯：触控操作屏，工艺配方管理，SECS/GEM 对接工厂自动化系统Nitto Denk...。
五、选型要点
- 尺寸规格：优先按量产晶圆尺寸选型；8/12 寸大产线建议分开专用机型，避免碎片率上升。
- 晶圆厚度：＜100 μm 超薄晶圆，优先考虑真空非接触式贴膜方案。
- 工艺需求：是否需要同时支持背磨 + 划片、是否需要 DAF 贴膜、UV 照射是否内置。
- 自动化等级：研发小批量选半自动；量产线选全自动 FOUP 上下料，支持 SECS/GEM。
- 洁净环境：适配 Class100‑1000 洁净车间，压缩空气、温湿度条件满足半导体设备要求DISCO HI-T...。
六、国内外主流代表机型
- 海外：DISCO DFM2800（12 寸全自动）、LINTEC RAD 系列、Nitto MA3000IIIDISCO Corp...
- 国内：国产全自动晶圆贴膜机，覆盖 6‑12 英寸，适配国内封测产线。
