企业特殊行业经营资质信息公示
点击图片查看原图8 英寸 UV 晶圆解胶设备（200mm Wafer UV Debonding）氮气型8寸解胶机
工艺原理
针对晶圆划片后 UV 切割胶带（Dicing Tape），UV（365nm 为主）照射胶带胶层，胶层光化学反应，粘接力大幅下降，便于晶粒拾取，防止崩片、芯片损伤，广泛用于硅片、碳化硅、MEMS、功率器件封装工序。
照射方向：自下而上（从胶带侧照射），晶圆芯片面朝上。
设备分类
1）桌面抽屉式（半自动，实验室 / 小批量）
适用：8 英寸 (200mm) 晶圆、8 寸划片框架，向下兼容 4‑6 寸晶圆
光源：UV‑LED 冷光源，365nm（主流），可选 385/395/405nm1688阿...
光强：400‑800 mW/cm² 可调；照射时间 0‑999s 可编程，触摸屏 + PLC 控制
冷却：风冷；LED 寿命≥20000h，无臭氧、无需预热
电源：AC220V；整机功率 800‑1200W；重量 28‑32kg
腔体：≥220×220mm 有效发光面，可容纳 8 寸晶圆环框架
操作：手动抽拉抽屉，放入晶圆框架，设定参数启动照射。
2）氮气保护型（中批量，高要求器件）
增加氮气吹扫腔体，降低氧抑制效应，解胶更彻底；适合超薄晶圆、化合物半导体、高要求 UV 胶膜
流程：抽屉闭合→腔体充 N₂→UV 照射→完成停止供气。
3）全自动机型（产线联机）
对接划片机，机械手自动上下料，可对接 FOUP 晶圆盒，生产效率 100‑180 片 / 小时，支持生产日志记录、SEMI 标准、氮气选配，适合大批量封装产线。
核心技术参数参考（国产标准 8 寸 UV 解胶机）
表格
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 适配晶圆 | 8 英寸（200mm），兼容 4/5/6 英寸，适配标准 8 寸划片框架 |
| UV 光源 | UV‑LED 面光源，波长 365nm（可定制） |
| 光功率密度 | 500‑700 mW/cm²，功率 10‑100% 连续可调 |
| 照射时间 | 0‑999.9s 可设置，多组工艺配方存储 |
| 照射方式 | 底部向上照射 |
| 冷却方式 | 风冷（氮气机型可选腔体氮气吹扫） |
| 控制 | 彩色触摸屏，支持 RS232 通讯、IO 信号对接上位机 |
| 电源 | AC220V 50‑60Hz，功率约 1000‑1500W |
| 发光有效面积 | ≥220 × 220 mm |
| 整机重量 | 30‑50kg（氮气款偏重） |
| 环境 | 普通洁净车间，Class1000 可使用 |
适配晶圆 8 英寸（200mm），兼容 4/5/6 英寸，适配标准 8 寸划片框架
UV 光源 UV‑LED 面光源，波长 365nm（可定制）
光功率密度 500‑700 mW/cm²，功率 10‑100% 连续可调
照射时间 0‑999.9s 可设置，多组工艺配方存储
照射方式 底部向上照射
冷却方式 风冷（氮气机型可选腔体氮气吹扫）
控制 彩色触摸屏，支持 RS232 通讯、IO 信号对接上位机
电源 AC220V 50‑60Hz，功率约 1000‑1500W
发光有效面积 ≥220 × 220 mm
整机重量 30‑50kg（氮气款偏重）
环境 普通洁净车间，Class1000 可使用
选型要点
胶膜匹配：优先确认 UV 胶带规格，多数日东、琳得科胶带推荐365nm 波长。
是否氮气：普通硅片可选普通风冷；超薄晶圆、SiC、MEMS 建议氮气腔。
产量：小批量研发选抽屉半自动；量产选全自动联机机型。
发光面积：必须完全覆盖8 寸框架，不能只覆盖晶圆本体。
热影响：LED 冷光源，照射温升＜5‑8℃，保护薄晶圆不翘曲。
常见型号参考
国产桌面：UV‑801、UVJM80T、DSXUVtape8（8 寸抽屉式）
