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企业特殊行业经营资质信息公示
8 英寸 UV 晶圆解胶设备(200mm Wafer UV Debonding)氮气型8寸解胶机
工艺原理
针对晶圆划片后 UV 切割胶带(Dicing Tape),UV(365nm 为主)照射胶带胶层,胶层光化学反应,粘接力大幅下降,便于晶粒拾取,防止崩片、芯片损伤,广泛用于硅片、碳化硅、MEMS、功率器件封装工序。
照射方向:自下而上(从胶带侧照射),晶圆芯片面朝上。
设备分类
1)桌面抽屉式(半自动,实验室 / 小批量)
适用:8 英寸 (200mm) 晶圆、8 寸划片框架,向下兼容 4‑6 寸晶圆
光源:UV‑LED 冷光源,365nm(主流),可选 385/395/405nm1688阿...
光强:400‑800 mW/cm² 可调;照射时间 0‑999s 可编程,触摸屏 + PLC 控制
冷却:风冷;LED 寿命≥20000h,无臭氧、无需预热
电源:AC220V;整机功率 800‑1200W;重量 28‑32kg
腔体:≥220×220mm 有效发光面,可容纳 8 寸晶圆环框架
操作:手动抽拉抽屉,放入晶圆框架,设定参数启动照射。
2)氮气保护型(中批量,高要求器件)
增加氮气吹扫腔体,降低氧抑制效应,解胶更彻底;适合超薄晶圆、化合物半导体、高要求 UV 胶膜
流程:抽屉闭合→腔体充 N₂→UV 照射→完成停止供气。
3)全自动机型(产线联机)
对接划片机,机械手自动上下料,可对接 FOUP 晶圆盒,生产效率 100‑180 片 / 小时,支持生产日志记录、SEMI 标准、氮气选配,适合大批量封装产线。
表格
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 适配晶圆 | 8 英寸(200mm),兼容 4/5/6 英寸,适配标准 8 寸划片框架 |
| UV 光源 | UV‑LED 面光源,波长 365nm(可定制) |
| 光功率密度 | 500‑700 mW/cm²,功率 10‑100% 连续可调 |
| 照射时间 | 0‑999.9s 可设置,多组工艺配方存储 |
| 照射方式 | 底部向上照射 |
| 冷却方式 | 风冷(氮气机型可选腔体氮气吹扫) |
| 控制 | 彩色触摸屏,支持 RS232 通讯、IO 信号对接上位机 |
| 电源 | AC220V 50‑60Hz,功率约 1000‑1500W |
| 发光有效面积 | ≥220 × 220 mm |
| 整机重量 | 30‑50kg(氮气款偏重) |
| 环境 | 普通洁净车间,Class1000 可使用 |
适配晶圆 8 英寸(200mm),兼容 4/5/6 英寸,适配标准 8 寸划片框架
UV 光源 UV‑LED 面光源,波长 365nm(可定制)
光功率密度 500‑700 mW/cm²,功率 10‑100% 连续可调
照射时间 0‑999.9s 可设置,多组工艺配方存储
照射方式 底部向上照射
冷却方式 风冷(氮气机型可选腔体氮气吹扫)
控制 彩色触摸屏,支持 RS232 通讯、IO 信号对接上位机
电源 AC220V 50‑60Hz,功率约 1000‑1500W
发光有效面积 ≥220 × 220 mm
整机重量 30‑50kg(氮气款偏重)
环境 普通洁净车间,Class1000 可使用
选型要点
胶膜匹配:优先确认 UV 胶带规格,多数日东、琳得科胶带推荐365nm 波长。
是否氮气:普通硅片可选普通风冷;超薄晶圆、SiC、MEMS 建议氮气腔。
产量:小批量研发选抽屉半自动;量产选全自动联机机型。
发光面积:必须完全覆盖8 寸框架,不能只覆盖晶圆本体。
热影响:LED 冷光源,照射温升<5‑8℃,保护薄晶圆不翘曲。
常见型号参考
国产桌面:UV‑801、UVJM80T、DSXUVtape8(8 寸抽屉式)