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  半导体后道封装划片（Dicing）后专用设备，把贴在胶膜上、已切割成小芯片（Die）的晶圆均匀向外拉伸，增大芯片间距，防止取片时碰撞崩边，便于固晶、分选、测试。

别名：扩晶机、晶片扩张机、扩膜机、蓝膜扩张机、LED 扩晶机。适用：3/4/6/8/10/12 英寸硅晶圆、玻璃晶圆、陶瓷基板、LED 芯片等。

晶圆扩膜机核心工作原理

划片后芯片之间只有极窄刀痕（约 20–50μm），几乎相连，直接取片极易崩边、掉角、裂纹。

扩膜原理 = 加热软化胶膜 + 同心圆均匀顶伸 + 机械固定。

1. 加热：工作台加热到40–80℃（常用60℃），蓝膜 / UV 膜变软、延展性变好。
2. 中心顶起：伺服 / 气动驱动中间顶环上升，从膜中心垂直向上顶，膜被均匀向外拉伸。
3. 圆周同步扩张：膜呈同心圆放射状拉伸，芯片间距从50μm扩大到200μm–1mm，整面均匀，无局部应力集中。
4. 压环固定：上压环下压，把拉伸好的膜固定在 ** 扩晶环（子母环）** 上，保持张力。
5. 冷却定型：降温后膜弹性恢复，间距固定，芯片分离且不回弹。

核心指标：扩张均匀性（同心圆误差＜0.1mm）、张力一致性、温控精度（±1℃）。

智联德晶圆扩膜机工艺流程操作流程

1. 准备阶段

1. 开机，预热10–15 分钟，设定温度55–65℃。
2. 检查气压0.4–0.6MPa、真空 **-0.08MPa**、温度正常。
3. 选择对应晶圆尺寸的扩晶环（内环 + 外环）。

2. 上料

1. 工作台下降到最低位，上压模升起。
2. 放置内环在工作台中心。
3. 取划片后的晶圆（胶膜朝上，芯片朝下），居中平铺在内环上，真空吸附固定。
4. 盖上外环，对齐内环。

3. 自动扩膜（半自动 / 自动）

1. 按 “启动”，工作台匀速上升（速度 1–3mm/s）。
2. 胶膜被中心顶起，均匀向外扩张，芯片间距逐渐拉大。
3. 上升到设定高度（如20mm，对应间距500μm），停止上升。
4. 上压模下压，把膜压紧在扩晶环上，保持5–10 秒定型。
5. 上压模升起，工作台下降复位。

4. 下料与后处理

1. 取出扩好膜的晶圆框。
2. 修剪多余膜边，避免边缘粘连。
3. 检查：芯片间距均匀、无裂纹、无崩边、膜无破损。
4. 流入下道：固晶机 / 分选机。