系统特征
序号 |
测试器件 |
01 |
二极管 |
02 |
晶体管NPN型/PNP型 |
03 |
J型场效应管 |
04 |
MOS场效应管 |
05 |
双向可控硅 |
06 |
可控硅 |
07 |
lGBT |
08 |
硅触发可控硅 |
09 |
达林顿阵列 |
10 |
金属氧化物压变电阻 |
12 |
固态过压保护器 |
13 |
稳压、齐纳二极管 |
规格/环境:
栅极发射极 |
VGES:0-40V |
分辨率0. 1V |
lGES:0.1-10Ua |
分辨率0.01uA |
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Vce:0V |
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集电极发射极 |
Vces:100-3000v |
分辨率10V |
lces:100UA-5mA |
分辨率10uA |
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Vge:0V |
Vge:0V |
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栅极发射极阈值电压 |
Vge(th):1-10V |
分辨率0lV |
集电极 发射极 饱和电压 |
VCE(sat):02-5V |
分辨率0.01V |
lCE:10-100A |
分辨率1A |
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二极管 |
VF:0-5V |
分辨率0.01V |
lF:0-100A |
分辨率1A |
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Vge:0V |
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二极管反向** |
Vces:100-3000V |
分辨率10V |
lces; 100UA-5mA |
分辨率10uA |