概述
N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用使用Trench MOSFET技术的塑料封装。
数据手册应用说明SOT023 特性
适用于逻辑电平栅极驱动源
极快速开关
表面贴装封装
Trench MOSFET技术
Target Applications
逻辑电平转换器
高速线路驱动器
概述
N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用使用Trench MOSFET技术的塑料封装。
数据手册应用说明SOT023 特性
适用于逻辑电平栅极驱动源
极快速开关
表面贴装封装
Trench MOSFET技术
Target Applications
逻辑电平转换器
高速线路驱动器
概述
N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用使用Trench MOSFET技术的塑料封装。
数据手册应用说明SOT023 特性
适用于逻辑电平栅极驱动源
极快速开关
表面贴装封装
Trench MOSFET技术
Target Applications
逻辑电平转换器
高速线路驱动器
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适用于逻辑电平栅极驱动源
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逻辑电平转换器
高速线路驱动器
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N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用使用Trench MOSFET技术的塑料封装。
数据手册应用说明SOT023 特性
适用于逻辑电平栅极驱动源
极快速开关
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高速线路驱动器
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N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用使用Trench MOSFET技术的塑料封装。
数据手册应用说明SOT023 特性
适用于逻辑电平栅极驱动源
极快速开关
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高速线路驱动器