IP2075_38D 英集芯 反激控制器 65W功率AC/DC芯片 集成GAN FET

一、核心特性

集成 700V GAN FET：

具备高耐压、高开关速度特性，提升电源转换效率。

内置高压启动与 X 电容放电功能：

省去传统启动电阻，降低待机功耗。

交流输入移除时，HV 引脚实现 X 电容快速放电，进一步减少待机损耗。

高效性能：

宽输入/输出电压条件下保持高效率。

宽开关频率范围（自适应调节），优化轻载与满载效率。

结合频率折返与谷底导通技术，减少开关损耗。

低 EMI 设计：内置抖频电路，降低辐射干扰与共模噪声。

**待机功耗：

轻载/空载时进入突发模式（工作电流仅 160µA）。

满足 CoC V5 和 DoE VI 等严格能效标准。

多模式控制：支持准谐振（QR）、PFM、CCM 模式，适应不同负载场景。

全面保护功能：

输入/输出过压/欠压保护（Line_OVP、VS_OVP、VS_UVP）。

VDD 过压保护（VDD_OVP）、过温保护（OTP）、Brown-in/Brown-out 检测。

带补偿的过功率保护（OLP），防止过载损坏。

高度可定制化：支持最大频率、保护阈值（如 VVS_OVP、VVS_UVP）等参数配置。

封装形式：DFN18L（6×8mm），紧凑设计，适合高功率密度应用。

二、技术优势

自适应多模式控制（MMC）：根据负载动态切换工作模式，平衡效率与响应速度。

二次侧调节（SSR）支持：提升输出电压/电流精度，满足精密设备需求。

优化频率管理：

最大频率经优化设计，降低器件温升，提升满载效率。

最小峰值电流优化，平衡待机功耗与音频噪声。

高可靠性保护：内置多重保护机制，确保系统在异常工况下安全运行。

三、典型应用场景

移动设备适配器：手机、平板电脑、笔记本电脑等充电器的核心控制芯片。

高功率密度快速充电器：支持快充协议，实现高效、紧凑的电源设计。

高能效反激式辅助电源：工业设备、通信基站等场景的辅助供电模块。

四、设计价值

简化电路设计：集成 GAN FET 与启动电路，减少外围元件数量。

提升能效表现：通过多模式控制与低待机功耗技术，满足全球能效法规。

增强系统可靠性：完善的保护功能降低故障风险，延长产品寿命。

支持高密度设计：小型封装与高效性能，助力紧凑型电源产品开发。